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BSC0902NSIATMA1

BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 20000 Stücke:
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Technische Details BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 48W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Weitere Produktangebote BSC0902NSIATMA1 nach Preis ab 0.49 EUR bis 2.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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10000+0.49 EUR
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BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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5000+0.52 EUR
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BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
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BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
297+0.58 EUR
303+0.51 EUR
306+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 297 Stücke
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BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2460 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 941 Stücke
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BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
941+0.69 EUR
1020+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 941 Stücke
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BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0902nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0902NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 4433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
74+1.15 EUR
91+0.94 EUR
101+0.84 EUR
104+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
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BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 5041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.05 EUR
193+1.2 EUR
254+0.84 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
auf Bestellung 24263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
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2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
197+1.18 EUR
259+0.83 EUR
500+0.73 EUR
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BSC0902NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.52 EUR
10000+0.49 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.52 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
306+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
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BSC0902NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 9909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
297+0.58 EUR
303+0.51 EUR
306+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 297 Stücke
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BSC0902NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
941+0.69 EUR
1020+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 941 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1573 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
941+0.69 EUR
1020+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 941 Stücke
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BSC0902NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 4433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
74+1.15 EUR
91+0.94 EUR
101+0.84 EUR
104+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSIATMA1 INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
auf Bestellung 5041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
123+2.05 EUR
193+1.2 EUR
254+0.84 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI_Rev_2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433072cd8f01308ea027703424
BSC0902NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
auf Bestellung 24263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+2.15 EUR
16+1.36 EUR
100+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0902NSIATMA1 INFN-S-A0001535081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0902NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0902NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 2300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 7605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
197+1.18 EUR
259+0.83 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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