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BSC0904NSIATMA1

BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 37W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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1288+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1288 Stücke
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BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc0904nsi-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1949 Stücke:
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BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 Infineon Technologies BSC0904NSI_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432f29829e012f3073397339ef Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
auf Bestellung 18382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
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2000+0.55 EUR
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BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 INFINEON INFNS27917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 4801 Stücke:
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91+2.75 EUR
138+1.69 EUR
250+1.04 EUR
1000+0.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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BSC0904NSIATMA1 BSC0904NSIATMA1 INFINEON INFNS27917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 4801 Stücke:
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100+2.75 EUR
138+1.69 EUR
250+1.04 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin TDSON EP T/R
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500+0.43 EUR
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BSC0904NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
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1288+0.51 EUR
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BSC0904NSIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
auf Bestellung 18382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
2000+0.55 EUR
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BSC0904NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 4801 Stücke:
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91+2.75 EUR
138+1.69 EUR
250+1.04 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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BSC0904NSIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0904NSIATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
auf Bestellung 4801 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.75 EUR
138+1.69 EUR
250+1.04 EUR
1000+0.67 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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