BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 7700 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 34V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 27W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7700µohm.
Weitere Produktangebote BSC0909NSATMA1 nach Preis ab 0.35 EUR bis 0.58 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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BSC0909NSATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC0909NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC0909NSATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 3800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC0909NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 34V Drain current: 44A Power dissipation: 27W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC0909NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.35 EUR |
| BSC0909NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5000+ | 0.35 EUR |
| BSC0909NSATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 303+ | 0.58 EUR |
| 304+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.48 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| BSC0909NSATMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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