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BSC0909NSATMA1

BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies


4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 34V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
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BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
97+0.74 EUR
142+0.51 EUR
228+0.31 EUR
241+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 97
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BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
On-state resistance: 9.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
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BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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