Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0909NSATMA1
BSC0909NSATMA1

BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies


4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC0909NSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 34V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote BSC0909NSATMA1 nach Preis ab 0.28 EUR bis 1.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
303+0.49 EUR
304+0.47 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 303
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
142+0.51 EUR
227+0.32 EUR
240+0.30 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3875CDD9985211C&compId=BSC0909NS-DTE.pdf?ci_sign=3419b4f3de333acd915c15565b124484cd2d6348 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 423 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
97+0.74 EUR
142+0.51 EUR
227+0.32 EUR
240+0.30 EUR
Mindestbestellmenge: 97
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC0909NS_Rev+3.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a3043284aacd80128826aeb7653f0 Description: MOSFET N-CH 34V 12A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 15 V
auf Bestellung 8343 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+1.44 EUR
20+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
1000+0.40 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 13
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0909NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 34 V, 44 A, 0.0077 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 34V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5049 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0909NSATMA1 BSC0909NSATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4951bsc0909ns_rev3.5.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8ed2a02dbfilei.pdf Trans MOSFET N-CH 34V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH