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BSC0910NDIATMA1

BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies

bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
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Technische Details BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
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BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4255 Stücke:
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BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
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53+3.31 EUR
69+2.49 EUR
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500+1.45 EUR
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BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
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BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
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100+3.26 EUR
250+3.19 EUR
500+3.13 EUR
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BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 INFINEON 2577518.pdf Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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70+3.57 EUR
91+2.57 EUR
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BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0910NDI_DS_v02_00_en-1731176.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
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1+4.05 EUR
10+3.33 EUR
25+3.09 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
5000+1.58 EUR
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BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
10+3.3 EUR
100+2.26 EUR
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BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
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Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
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BSC0910NDIATMA1 Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926
BSC0910NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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BSC0910NDIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
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Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
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Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
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69+2.49 EUR
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BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
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69+2.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf
BSC0910NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 9990 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
52+3.34 EUR
100+3.26 EUR
250+3.19 EUR
500+3.13 EUR
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3000+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
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52+3.15 EUR
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BSC0910NDIATMA1 2577518.pdf
BSC0910NDIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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500+1.64 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
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25+3.09 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
5000+1.58 EUR
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BSC0910NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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