Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC0910NDIATMA1
BSC0910NDIATMA1

BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies


bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.22 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSC0910NDIATMA1 nach Preis ab 1.05 EUR bis 4.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
114+1.25 EUR
115+1.20 EUR
200+1.15 EUR
500+1.10 EUR
Mindestbestellmenge: 114
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
52+2.78 EUR
100+2.67 EUR
250+2.56 EUR
500+2.45 EUR
1000+2.35 EUR
3000+2.24 EUR
6000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 52
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+2.81 EUR
69+2.07 EUR
100+1.44 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
53+2.81 EUR
69+2.07 EUR
100+1.44 EUR
500+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 53
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 9990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
51+2.90 EUR
52+2.68 EUR
100+2.57 EUR
250+2.46 EUR
500+2.35 EUR
1000+2.24 EUR
6000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 51
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC0910NDI_DS_v02_00_en-1731176.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 3430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.98 EUR
10+2.76 EUR
100+1.90 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.51 EUR
5000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
auf Bestellung 10182 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+4.08 EUR
10+2.77 EUR
100+1.90 EUR
500+1.53 EUR
1000+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Hersteller : INFINEON 2577518.pdf Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Hersteller : INFINEON Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4255 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 BSC0910NDIATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc0910ndi_rev.0.4.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a304336ca04c90136ce.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113c.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0910NDIATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC0910NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136cedc08b64926 BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH