BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC0910NDIATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC0910NDIATMA1 nach Preis ab 1.05 EUR bis 4.08 EUR
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BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R |
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BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
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BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R |
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BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R |
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BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R |
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BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R |
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BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
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BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 11A/31A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A, 31A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
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BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC0910NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 0.0035 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0035ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R |
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BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 11A/22A 8-Pin TISON EP T/R |
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| BSC0910NDIATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC0910NDIATMA1 SMD N channel transistors |
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