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BSC0911NDATMA1

BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies

309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
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Technische Details BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
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BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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107+1.62 EUR
144+1.17 EUR
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BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 INFINEON INFNS27902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4875 Stücke:
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100+2.42 EUR
132+1.63 EUR
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BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 INFINEON INFNS27902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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75+3.38 EUR
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BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0911ND_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8
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BSC0911NDATMA1 BSC0911NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946 Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9630 Stücke:
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10+3.63 EUR
100+2.5 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.93 EUR
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BSC0911NDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC0911NDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 61594 Stücke:
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453+1.44 EUR
500+1.36 EUR
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Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
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BSC0911NDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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AnzahlPrivatkunde
5000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC0911NDATMA1 309bsc0911nd_rev.1.0__.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fi.pdf
BSC0911NDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 18A/30A 8-Pin TISON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
100+1.74 EUR
107+1.62 EUR
144+1.17 EUR
200+1.08 EUR
500+1 EUR
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2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC0911NDATMA1 INFNS27902-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0911NDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.42 EUR
132+1.63 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC0911NDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0911NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 900µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
75+3.38 EUR
97+2.42 EUR
132+1.63 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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BSC0911NDATMA1 Infineon_BSC0911ND_DS_v02_00_en.pdf
BSC0911NDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 25V 40A TISON-8
auf Bestellung 2108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.11 EUR
10+3.28 EUR
100+2.24 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.68 EUR
2500+1.61 EUR
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BSC0911NDATMA1 Infineon-BSC0911ND-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceebf62c4946
BSC0911NDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A, 30A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 9630 Stücke:
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4+5.62 EUR
10+3.63 EUR
100+2.5 EUR
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