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BSC0921NDIATMA1

BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
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Technische Details BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 INFINEON INFNS27794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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91+2.77 EUR
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BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 INFINEON INFNS27794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10563 Stücke:
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119+1.95 EUR
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BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC0921NDI_DS_v02_00_en.pdf MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
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BSC0921NDIATMA1 BSC0921NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036 Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
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5+4.84 EUR
10+3.11 EUR
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auf Bestellung 9 Stücke:
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BSC0921NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+0.94 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
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5000+0.94 EUR
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BSC0921NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC0921NDIATMA1
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Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
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5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC0921NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
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BSC0921NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 54929 Stücke:
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555+1.18 EUR
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Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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168+1.02 EUR
200+0.94 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.64 EUR
5000+0.62 EUR
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BSC0921NDIATMA1 11949bsc0921ndi_rev2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7file.pdf
BSC0921NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 1909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
114+1.54 EUR
121+1.43 EUR
139+1.21 EUR
200+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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BSC0921NDIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.77 EUR
119+1.95 EUR
143+1.51 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0921NDIATMA1 INFNS27794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC0921NDIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0921NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 3900 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 3900µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3900µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10563 Stücke:
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119+1.95 EUR
143+1.51 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.27 EUR
5000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0921NDIATMA1 Infineon_BSC0921NDI_DS_v02_00_en.pdf
BSC0921NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
auf Bestellung 1670 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.88 EUR
10+2.57 EUR
100+1.73 EUR
500+1.46 EUR
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BSC0921NDIATMA1 Infineon-BSC0921NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ca6892d00036
BSC0921NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 31A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
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BSC0921NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/31A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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