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BSC0924NDIATMA1

BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies

11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
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Technische Details BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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252+0.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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238+0.74 EUR
361+0.48 EUR
364+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.23 EUR
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BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC0924NDI-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336ca04c90136ceae245448f5 Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
auf Bestellung 70000 Stücke:
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5000+0.93 EUR
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147+1.18 EUR
236+0.71 EUR
238+0.68 EUR
361+0.43 EUR
364+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
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BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
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93+1.87 EUR
140+1.23 EUR
500+0.94 EUR
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2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 INFINEON 2354721.pdf Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
175+1.33 EUR
212+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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BSC0924NDIATMA1 BSC0924NDIATMA1 INFINEON 2354721.pdf Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4984 Stücke:
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100+3.32 EUR
175+1.33 EUR
212+1.01 EUR
500+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 71671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSC0924NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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BSC0924NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
252+0.69 EUR
254+0.68 EUR
500+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 2454 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
238+0.74 EUR
361+0.48 EUR
364+0.46 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
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BSC0924NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
auf Bestellung 70000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.93 EUR
10000+0.87 EUR
15000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC0924NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 2454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
147+1.18 EUR
236+0.71 EUR
238+0.68 EUR
361+0.43 EUR
364+0.4 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0924NDIATMA1 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC0924NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0924NDIATMA1 11947bsc0924ndi_rev.2.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fil.pdf
BSC0924NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 17A/32A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 4981 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
93+1.87 EUR
140+1.23 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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BSC0924NDIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+3.32 EUR
175+1.33 EUR
212+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC0924NDIATMA1 2354721.pdf
BSC0924NDIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC0924NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 40 A, 40 A, 0.005 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.005ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+3.32 EUR
175+1.33 EUR
212+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC0924NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A, 32A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 71671 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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