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BSC093N15NS5SCATMA1

BSC093N15NS5SCATMA1 INFINEON

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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2977 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.28 EUR
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Technische Details BSC093N15NS5SCATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: WSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC093N15NS5SCATMA1 BSC093N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC093N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.04 EUR
10+5.46 EUR
100+3.89 EUR
250+3.88 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.53 EUR
4000+3.08 EUR
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BSC093N15NS5SCATMA1 BSC093N15NS5SCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC093N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a13fbf31c5 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.9 EUR
10+5.89 EUR
100+4.18 EUR
500+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSC093N15NS5SCATMA1 BSC093N15NS5SCATMA1 INFINEON Infineon-BSC093N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a13fbf31c5 Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.32 EUR
36+6.54 EUR
100+4.28 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.45 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 2985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.04 EUR
10+5.46 EUR
100+3.89 EUR
250+3.88 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.53 EUR
4000+3.08 EUR
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BSC093N15NS5SCATMA1 Infineon-BSC093N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a13fbf31c5
BSC093N15NS5SCATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 107µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
auf Bestellung 748 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.9 EUR
10+5.89 EUR
100+4.18 EUR
500+3.63 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSC093N15NS5SCATMA1 Infineon-BSC093N15NS5SC-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183d5a13fbf31c5
BSC093N15NS5SCATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC093N15NS5SCATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 89 A, 0.0093 ohm, WSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3167 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+10.32 EUR
36+6.54 EUR
100+4.28 EUR
500+3.56 EUR
1000+3.45 EUR
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