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BSC096N10LS5ATMA1

BSC096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc096n10ls5-datasheet-v02_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.008 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 83W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC096N10LS5ATMA1 BSC096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC096N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdb78171e20a7 Description: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC096N10LS5ATMA1 BSC096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc096n10ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2010 Stücke:
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112+1.56 EUR
113+1.52 EUR
116+1.45 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.39 EUR
2000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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auf Bestellung 5000 Stücke:
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5000+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC096N10LS5ATMA1 BSC096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc096n10ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1391 Stücke:
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84+2.07 EUR
100+1.95 EUR
250+1.83 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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BSC096N10LS5ATMA1 BSC096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC096N10LS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdb78171e20a7 Description: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
auf Bestellung 7641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.45 EUR
10+2.12 EUR
25+2 EUR
100+1.83 EUR
250+1.74 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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BSC096N10LS5ATMA1 BSC096N10LS5ATMA1 INFINEON Infineon-BSC096N10LS5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bdb78171e20a7 Description: INFINEON - BSC096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.008 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
250+2.33 EUR
1000+1.9 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC096N10LS5ATMA1 BSC096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC096N10LS5_DataSheet_v02_01_EN-3360741.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
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2+3.22 EUR
10+2.51 EUR
100+2.23 EUR
250+2.05 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.81 EUR
2500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17625 Stücke:
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61+4.12 EUR
77+3.02 EUR
250+2.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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BSC096N10LS5ATMA1 BSC096N10LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc096n10ls5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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BSC096N10LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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113+1.52 EUR
116+1.45 EUR
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2000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1391 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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100+1.95 EUR
250+1.83 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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BSC096N10LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 50 V
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1000+1.59 EUR
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BSC096N10LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.008 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.02 EUR
250+2.33 EUR
1000+1.9 EUR
3000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 4790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.22 EUR
10+2.51 EUR
100+2.23 EUR
250+2.05 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.81 EUR
2500+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSC096N10LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC096N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.008 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 17625 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
61+4.12 EUR
77+3.02 EUR
250+2.33 EUR
1000+1.9 EUR
3000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 72A 8-Pin TDSON EP T/R
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