Weitere Produktangebote BSC097N06NSATMA1 nach Preis ab 0.26 EUR bis 2.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 48523 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8 |
auf Bestellung 5373 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V |
auf Bestellung 3573 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3378 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon |
MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V |
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