BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.008 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 46A TDSON-8 |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.008 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 0.008 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC097N06NSATMA1 Produktcode: 124600 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 46A Power dissipation: 36W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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BSC097N06NSATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 46A; 36W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 46A Power dissipation: 36W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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