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BSC097N06NSATMA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc097n06ns-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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5000+0.6 EUR
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auf Bestellung 48523 Stücke:
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222+0.79 EUR
235+0.74 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
5000+0.45 EUR
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BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC097N06NS-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342371bb001424cdd69b87155 Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
auf Bestellung 152 Stücke:
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11+1.95 EUR
18+1.21 EUR
100+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 INFINEON INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
117+2 EUR
250+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 INFINEON INFNS29222-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 268 Stücke:
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BSC097N06NSATMA1 BSC097N06NSATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC097N06NS_DataSheet_v02_02_EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 46A TDSON-8
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10+2.07 EUR
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500+1.07 EUR
1000+0.9 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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AnzahlPrivatkunde
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BSC097N06NSATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 46A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 14µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1075 pF @ 30 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
auf Bestellung 268 Stücke:
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77+3.25 EUR
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BSC097N06NSATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC097N06NSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 46A
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 36W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
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auf Bestellung 629 Stücke:
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2+3.31 EUR
10+2.07 EUR
100+1.37 EUR
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