Technische Details BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSC100N03MSGATMA1 nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4729 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M |
auf Bestellung 15658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC100N03MSGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 28 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSC100N03MSGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 45 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC100N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 370+ | 0.48 EUR |
| BSC100N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
MOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
auf Bestellung 15658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.51 EUR |
| 10+ | 1.55 EUR |
| 100+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.69 EUR |
| 2500+ | 0.62 EUR |
| 5000+ | 0.5 EUR |
| BSC100N03MSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSC100N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSC100N03MSGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSC100N03MSGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 8300 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8300µohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 45 Stücke:
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