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BSC100N03MSGATMA1

BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies

648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC100N03MSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC100N03MSG_DS_v02_01_en-1226358.pdf MOSFETs N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC100N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de73c33c039c Description: MOSFET N-CH 30V 12A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
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16+1.10 EUR
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1498 Stücke:
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27235-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N03MSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 44 A, 0.0083 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1498 Stücke:
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 648bsc100n03msg_rev1.16.pdffolderiddb3a304313d846880113d91d60c500c4f.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.8nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 176A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
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BSC100N03MSGATMA1 BSC100N03MSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 176A; 30W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 5.8nC
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 176A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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