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BSC100N06LS3GATMA1

BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm.

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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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91+ 0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 41
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc100n06ls3g-datasheet-v02_04-en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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110+ 1.33 EUR
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250+ 0.95 EUR
500+ 0.77 EUR
1000+ 0.57 EUR
3000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 89
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
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2000+ 0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 10
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC100N06LS3_G_DataSheet_v02_04_EN-3361153.pdf MOSFET N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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23+ 2.33 EUR
100+ 1.82 EUR
500+ 1.54 EUR
1000+ 1.23 EUR
2500+ 1.18 EUR
5000+ 1.16 EUR
Mindestbestellmenge: 19
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Hersteller : INFINEON BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
auf Bestellung 82684 Stücke:
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 490bsc100n06ls3_rev2.2.pdffolderiddb3a30431ddc9372011ebafa04517f8bfi.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC100N06LS3GATMA1
Produktcode: 116160 		BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Transistoren > MOSFET N-CH
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