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BSC100N06LS3GATMA1

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.55 EUR
10000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.55 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.68 EUR
10000+0.64 EUR
15000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC100N06LS3G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 10mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+1.77 EUR
64+1.13 EUR
76+0.95 EUR
100+0.75 EUR
250+0.65 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
auf Bestellung 22095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.68 EUR
11+1.7 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC100N06LS3 G-DataSheet-v02_04-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 18240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.17 EUR
10+1.99 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.81 EUR
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 65275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3GATMA1 INFINEON INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 64865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 Infineon BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7 N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; 50W; PG-TDSON-8 Транзистори
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
5000+0.55 EUR
10000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
5000+0.55 EUR
10000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 infineonbsc100n06ls3gdatasheetv0204en.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 11223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
255+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5000+0.68 EUR
10000+0.64 EUR
15000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 45nC
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 10mΩ
Drain current: 36A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 50W
Drain-source voltage: 60V
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
41+1.77 EUR
64+1.13 EUR
76+0.95 EUR
100+0.75 EUR
250+0.65 EUR
500+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V
auf Bestellung 22095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
7+2.68 EUR
11+1.7 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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BSC100N06LS3GATMA1 Infineon-BSC100N06LS3 G-DataSheet-v02_04-EN.pdf
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 18240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+3.17 EUR
10+1.99 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.84 EUR
5000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 65275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 INFNS27236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC100N06LS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 50W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
auf Bestellung 64865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC100N06LS3GATMA1 BSC100N06LS3_rev2.2.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0823387fd7
Hersteller: Infineon
N-MOSFET; unipolar; 60V; 41A; 50W; PG-TDSON-8 Транзистори
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH