BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC100N06LS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC100N06LS3GATMA1 nach Preis ab 0.41 EUR bis 2.01 EUR
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BSC100N06LS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Gate charge: 45nC On-state resistance: 10mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 36A Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 200A Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3629 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Gate charge: 45nC On-state resistance: 10mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 36A Power dissipation: 50W Drain-source voltage: 60V Pulsed drain current: 200A Case: PG-TDSON-8 |
auf Bestellung 3629 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 12298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3 |
auf Bestellung 8162 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 30 V |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.01 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC100N06LS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0078 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC100N06LS3GATMA1 Produktcode: 116160
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