BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC109N10NS3GATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote BSC109N10NS3GATMA1 nach Preis ab 0.73 EUR bis 2.64 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 45µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC109N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm |
auf Bestellung 20161 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Power dissipation: 78W Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A On-state resistance: 10.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC109N10NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 78W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar Power dissipation: 78W Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A On-state resistance: 10.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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