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BSC110N06NS3GATMA1

BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc110n06ns320gdatasheetv0205en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n06ns320gdatasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n06ns320gdatasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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213+0.69 EUR
215+0.67 EUR
252+0.56 EUR
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies infineonbsc110n06ns320gdatasheetv0205en.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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168+0.87 EUR
213+0.66 EUR
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0be43c7fe6 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
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9+2.15 EUR
14+1.35 EUR
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC110N06NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf MOSFETs N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
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2+2.31 EUR
10+1.45 EUR
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500+0.77 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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BSC110N06NS3GATMA1 BSC110N06NS3GATMA1 INFINEON BSC110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb0be43c7fe6 Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BSC110N06NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC110N06NS3 G-DataSheet-v02_05-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 30, Qg, нКл = 33, Rds = 11 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 110 Stücke:
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BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 8-Pin TDSON EP T/R
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215+0.67 EUR
252+0.56 EUR
334+0.41 EUR
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213+0.66 EUR
215+0.63 EUR
252+0.52 EUR
334+0.38 EUR
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BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 30 V
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1000+0.64 EUR
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10+1.45 EUR
100+0.96 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.57 EUR
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BSC110N06NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC110N06NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.011 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7272 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Hersteller: Infineon Technologies
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 50 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 30, Qg, нКл = 33, Rds = 11 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 50, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
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