BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote BSC110N15NS5ATMA1 nach Preis ab 1.87 EUR bis 8.01 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 31153 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 48A Pulsed drain current: 304A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC110N15NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 48A Pulsed drain current: 304A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
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