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BSC110N15NS5ATMA1

BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc110n15ns5-datasheet-v02_06-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 76A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC110N15NS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a Description: MOSFET N-CH 150V 76A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
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68+2.12 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 75 V
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BSC110N15NS5ATMA1 BSC110N15NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002484737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC110N15NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 76 A, 0.009 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC110N15NS5ATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSC110N15NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04caaad551a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 304A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 48A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 48A; Idm: 304A; 125W
Mounting: SMD
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 304A
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 48A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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