Technische Details BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSC117N08NS5ATMA1 nach Preis ab 0.72 EUR bis 3.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V |
auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V |
auf Bestellung 35486 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 49A TDSON-8 |
auf Bestellung 12765 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 28855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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BSC117N08NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 28855 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC117N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 0.76 EUR |
| BSC117N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 0.81 EUR |
| 10000+ | 0.76 EUR |
| 15000+ | 0.75 EUR |
| BSC117N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 0.84 EUR |
| BSC117N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 160+ | 0.92 EUR |
| BSC117N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 0.92 EUR |
| BSC117N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 49A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 0.96 EUR |
| 20000+ | 0.86 EUR |
| 30000+ | 0.78 EUR |
| 40000+ | 0.72 EUR |
| BSC117N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V
auf Bestellung 35486 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6+ | 3.08 EUR |
| 10+ | 1.97 EUR |
| 100+ | 1.33 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.96 EUR |
| 2000+ | 0.91 EUR |
| BSC117N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 49A TDSON-8
MOSFETs N-Ch 80V 49A TDSON-8
auf Bestellung 12765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.43 EUR |
| 10+ | 2.18 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.2 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| 2500+ | 1 EUR |
| 5000+ | 0.95 EUR |
| BSC117N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 28855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| BSC117N08NS5ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0117 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 28855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)