BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSC117N08NS5ATMA1 nach Preis ab 0.7 EUR bis 2.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 4980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 80V 49A TDSON-8 |
auf Bestellung 80118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 49A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 22µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 40 V |
auf Bestellung 22375 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 56038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC117N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 49 A, 0.0096 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 49A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 19A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 11.7mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 49A Drain-source voltage: 80V Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC117N08NS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 49A; 50W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: PG-TDSON-8 On-state resistance: 11.7mΩ Power dissipation: 50W Drain current: 49A Drain-source voltage: 80V Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET |
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