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BSC120N12LSGATMA1

BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc120n12lsgdatasheetv0200en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 114W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies infineonbsc120n12lsgdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies infineonbsc120n12lsgdatasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 INFINEON 3154615.pdf Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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100+3.37 EUR
101+2.13 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
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BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC120N12LS%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462712ef9b701712f7dc040007d Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2367 Stücke:
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BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC120N12LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360696.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
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10+3.03 EUR
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250+2.01 EUR
500+1.84 EUR
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BSC120N12LSGATMA1 BSC120N12LSGATMA1 INFINEON 3154615.pdf Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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45+5.59 EUR
69+3.37 EUR
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Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC120N12LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 114W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC120N12LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
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Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2367 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.83 EUR
10+2.64 EUR
100+2.15 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 4047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.4 EUR
10+3.03 EUR
100+2.28 EUR
250+2.01 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.62 EUR
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BSC120N12LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 9800 µohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4214 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.59 EUR
69+3.37 EUR
101+2.13 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.52 EUR
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