BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies
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| 68+ | 2.3 EUR |
| 73+ | 2.09 EUR |
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| 200+ | 1.61 EUR |
| 500+ | 1.54 EUR |
| 1000+ | 1.36 EUR |
| 2000+ | 1.23 EUR |
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Technische Details BSC120N12LSGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 114W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm.
Weitere Produktangebote BSC120N12LSGATMA1 nach Preis ab 1.44 EUR bis 4.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BSC120N12LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V |
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BSC120N12LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
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BSC120N12LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm |
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BSC120N12LSGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC120N12LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 68 A, 0.0098 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 114W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 114W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm |
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| BSC120N12LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP004486460 |
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BSC120N12LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC120N12LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 120V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC120N12LSGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 60 V |
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