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BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 30502403-5
Price: 3450.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

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Technische Details BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSC123N08NS3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

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BSC123N08NS3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

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Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V

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Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

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BSC123N08NS3GATMA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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BSC123N08NS3GATMA1

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Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

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134+	1.04 EUR
500+	0.85 EUR

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BSC123N08NS3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

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BSC123N08NS3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

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Anzahl	Preis
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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R

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105+	1.33 EUR
135+	1 EUR
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BSC123N08NS3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3

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BSC123N08NS3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V

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9+	2.08 EUR
12+	1.5 EUR
100+	1.17 EUR
500+	1 EUR
1000+	0.93 EUR

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BSC123N08NS3GATMA1

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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BSC123N08NS3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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