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BSC123N08NS3GATMA1

BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC123N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 66W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 8-Pin TDSON EP T/R
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Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
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BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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43+1.70 EUR
60+1.20 EUR
86+0.84 EUR
91+0.79 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 55A
On-state resistance: 12.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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113+1.23 EUR
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1000+0.64 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 40 V
auf Bestellung 12478 Stücke:
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8+2.31 EUR
12+1.57 EUR
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1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC123N08NS3G_DS_v02_05_en-1226212.pdf MOSFETs N-Ch 80V 55A TDSON-8 OptiMOS 3
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2+2.34 EUR
10+1.69 EUR
100+1.31 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.92 EUR
2500+0.90 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc123n08ns3g_rev2.3.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS16193-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC123N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 55 A, 0.0103 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 66W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 68652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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