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BSC123N10LSGATMA1

BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies


BSC123N10LS+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4626974b7df5 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
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Technische Details BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC123N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.01 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc123n10lsrev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc123n10lsrev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC123N10LS_DS_v02_08_en-1731177.pdf MOSFET N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
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BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC123N10LS+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4626974b7df5 Description: MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
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BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS16194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC123N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.01 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
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Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc123n10lsrev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc123n10lsrev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC123N10LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Power dissipation: 114W
Drain current: 71A
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC123N10LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 71A; 114W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 12.3mΩ
Power dissipation: 114W
Drain current: 71A
Drain-source voltage: 100V
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
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