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BSC123N10LSGATMA1

BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies

bsc123n10lsrev2.05.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC123N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies BSC123N10LS+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4626974b7df5 Description: MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3371 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.55 EUR
100+1.74 EUR
500+1.38 EUR
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2000+1.18 EUR
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BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC123N10LS_DS_v02_08_en.pdf MOSFETs N-Ch 100V 71A TDSON-8 OptiMOS 2
auf Bestellung 7497 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.81 EUR
100+1.92 EUR
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BSC123N10LSGATMA1 BSC123N10LSGATMA1 INFINEON INFNS16194-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC123N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1730 Stücke:
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BSC123N10LSGATMA1 International Rectifier HiRel Products BSC123N10LS+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b4626974b7df5 Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC123N10LSGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 72µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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Packaging: Cut Tape (CT)
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BSC123N10LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC123N10LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 71 A, 0.0123 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 100V 10.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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