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BSC13DN30NSFDATMA1

BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies

infineon-bsc13dn30nsfd-datasheet-v02_02-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2502 Stücke:
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210+3.11 EUR
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1000+2.69 EUR
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Technische Details BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc13dn30nsfd-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15655 Stücke:
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BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 INFINEON 2312610.pdf Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1762 Stücke:
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100+5.87 EUR
250+3.94 EUR
1000+3.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc13dn30nsfd-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4853 Stücke:
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50+4.56 EUR
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BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC13DN30NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d5c940fc0d9a Description: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.44 EUR
10+4.89 EUR
100+3.45 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC13DN30NSFD_DataSheet_v02_02_EN-3360668.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 381 Stücke:
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1+7.88 EUR
10+5.4 EUR
25+5.11 EUR
100+3.83 EUR
250+3.72 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.17 EUR
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BSC13DN30NSFDATMA1 BSC13DN30NSFDATMA1 INFINEON 2312610.pdf Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC13DN30NSFDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Trans MOSFET N-CH 300V 16A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC13DN30NSFDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4825 Stücke:
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10+4.89 EUR
100+3.45 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
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10+5.4 EUR
25+5.11 EUR
100+3.83 EUR
250+3.72 EUR
500+3.27 EUR
1000+3.17 EUR
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BSC13DN30NSFDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC13DN30NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 16 A, 0.13 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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250+3.94 EUR
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