BSC146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC146N10LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 52W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TDSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSC146N10LS5ATMA1 nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.8 EUR
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BSC146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V |
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BSC146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
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BSC146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 23µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V |
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BSC146N10LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSC146N10LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC146N10LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.0122 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TDSON Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0122ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSC146N10LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin TDSON EP T/R |
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