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BSC150N03LDGATMA1

BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
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Technische Details BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0125 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 26W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1_4-1730932.pdf MOSFET N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
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BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
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BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS16197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.0125 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
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Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC150N03LDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC150N03LDG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 26W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 26W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
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