Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC150N03LDGATMA1
BSC150N03LDGATMA1

BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.56 EUR
10000+0.52 EUR
15000+0.5 EUR
25000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 26W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm.

Weitere Produktangebote BSC150N03LDGATMA1 nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.83 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
306+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
879+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 879 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
879+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 879 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
879+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 879 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
156+1.12 EUR
216+0.8 EUR
250+0.77 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies bsc150n03ld_rev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+1.51 EUR
156+1.04 EUR
216+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 48039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 INFINEON INFNS16197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+2.73 EUR
146+1.59 EUR
222+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LDGATMA1 Infineon Technologies BSC150N03LD_rev1.4.pdf MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 8448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.76 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
306+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 306 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
879+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 879 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4667 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
879+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 879 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2965 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
879+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 879 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
156+1.12 EUR
216+0.8 EUR
250+0.77 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 156 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 bsc150n03ld_rev1.0.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 4866 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
115+1.51 EUR
156+1.04 EUR
216+0.73 EUR
250+0.69 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb504a5d729f
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 26W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4
Part Status: Active
auf Bestellung 48039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 INFNS16197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC150N03LDGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 0.015 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 26W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+2.73 EUR
146+1.59 EUR
222+0.96 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD_rev1.4.pdf
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 30V 20A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 8448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.83 EUR
10+1.76 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.76 EUR
2500+0.71 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH