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BSC152N15LS5ATMA1

BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies


infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A T/R
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Technische Details BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A T/R
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250+1.02 EUR
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3000+0.85 EUR
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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC152N15LS5_DataSheet_v02_00_EN-3398088.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
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25+1.64 EUR
100+1.41 EUR
250+1.40 EUR
500+1.33 EUR
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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
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11+1.64 EUR
100+1.33 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.21 EUR
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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Hersteller : INFINEON 4159877.pdf Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Hersteller : INFINEON 4159877.pdf Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
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