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BSC152N15LS5ATMA1

BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote BSC152N15LS5ATMA1 nach Preis ab 0.77 EUR bis 5.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.61 EUR
110+1.56 EUR
133+1.27 EUR
250+1.24 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1405 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.88 EUR
109+1.55 EUR
110+1.48 EUR
133+1.18 EUR
250+1.12 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 INFINEON 4159877.pdf Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.14 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc152n15ls5-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 246 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.25 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies BSC152N15LS5_Rev2.0_12-13-23.pdf Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
auf Bestellung 7394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.27 EUR
10+2.74 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSC152N15LS5ATMA1 BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC152N15LS5_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 2773 Stücke:
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1+4.44 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.33 EUR
5000+1.26 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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45+5.68 EUR
69+3.42 EUR
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500+1.7 EUR
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Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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109+1.61 EUR
110+1.56 EUR
133+1.27 EUR
250+1.24 EUR
500+1.09 EUR
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110+1.48 EUR
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BSC152N15LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 246 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
54+3.25 EUR
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BSC152N15LS5ATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc)
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Supplier Device Package: PG-TDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V
auf Bestellung 7394 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+4.27 EUR
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100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >100-150V
auf Bestellung 2773 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.44 EUR
10+2.87 EUR
100+1.95 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.33 EUR
5000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSC152N15LS5ATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 55A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
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Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2936 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
45+5.68 EUR
69+3.42 EUR
100+2.14 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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