BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
auf Bestellung 4355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 120+ | 1.24 EUR |
| 130+ | 1.10 EUR |
| 134+ | 1.02 EUR |
| 250+ | 0.95 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
| 3000+ | 0.79 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details BSC152N15LS5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote BSC152N15LS5ATMA1 nach Preis ab 0.79 EUR bis 2.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A T/R |
auf Bestellung 4355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC152N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V |
auf Bestellung 2316 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC152N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 5535 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
BSC152N15LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 7226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC152N15LS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 55 A, 0.0152 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 7226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| BSC152N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
BSC152N15LS5ATMA1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 8.9A T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
BSC152N15LS5ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 75 V |
Produkt ist nicht verfügbar |