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BSC190N12NS3GATMA1

BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC190N12NS3+Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7bb1e767d49
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V
auf Bestellung 9020 Stücke:
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Technische Details BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc190n12ns3rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7bb1e.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 14353 Stücke:
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153+1.14 EUR
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 INFINEON INFNS16201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.67 EUR
250+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC190N12NS3+Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7bb1e767d49 Description: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V
auf Bestellung 9042 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.05 EUR
10+2.58 EUR
100+1.75 EUR
500+1.39 EUR
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2000+1.23 EUR
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 INFINEON INFNS16201-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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87+2.67 EUR
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BSC190N12NS3GATMA1 bsc190n12ns3rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7bb1e.pdf
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BSC190N12NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3+Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7bb1e767d49
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Description: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1000+1.27 EUR
2000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSC190N12NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 520 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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53+4.75 EUR
87+2.67 EUR
250+1.74 EUR
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