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BSC190N12NS3GATMA1

BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies

bsc190n12ns3rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7bb1e.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.0166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0166ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc190n12ns3rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7bb1e.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc190n12ns3rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7bb1e.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc190n12ns3rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7bb1e.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC190N12NS3+Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7bb1e767d49 Description: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC190N12NS3+Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7bb1e767d49 Description: MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 39A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 42µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 60 V
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON BSC190N12NS3+Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7bb1e767d49 Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.0166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0166ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON BSC190N12NS3+Rev2.5.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a7bb1e767d49 Description: INFINEON - BSC190N12NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 44 A, 0.0166 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0166ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc190n12ns3rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7bb1e.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc190n12ns3rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7bb1e.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 8.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC190N12NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC190N12NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 44A; 69W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: PG-TDSON-8
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 44A
On-state resistance: 19mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
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