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BSC190N15NS3GATMA1

BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

Weitere Produktangebote BSC190N15NS3GATMA1 nach Preis ab 1.13 EUR bis 7.18 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 19398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC190N15NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.44 EUR
85+2.02 EUR
86+1.95 EUR
103+1.61 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies bsc190n15ns3_rev2.2.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.44 EUR
85+1.98 EUR
86+1.88 EUR
103+1.51 EUR
250+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon info-tbsc190n15ns3g.pdf N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.93 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.34 EUR
250+2.87 EUR
1000+2.14 EUR
3000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC190N15NS3_DS_v02_04_en.pdf MOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 22739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+3.17 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
5000+1.73 EUR
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BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076 Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
auf Bestellung 24641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.01 EUR
10+3.9 EUR
100+2.7 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON INFNS16202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.18 EUR
57+4.13 EUR
250+2.83 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 Infineon info-tbsc190n15ns3g.pdf N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
auf Bestellung 100 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 19398 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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83+2.11 EUR
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BSC190N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1403 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+2.44 EUR
85+2.02 EUR
86+1.95 EUR
103+1.61 EUR
250+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 150V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 394 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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72+2.44 EUR
85+1.98 EUR
86+1.88 EUR
103+1.51 EUR
250+1.13 EUR
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Hersteller: Infineon
N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
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BSC190N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3534 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.34 EUR
250+2.87 EUR
1000+2.14 EUR
3000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC190N15NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 150V 50A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 22739 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.09 EUR
10+3.17 EUR
100+2.34 EUR
500+1.95 EUR
1000+1.86 EUR
5000+1.73 EUR
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BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3_Rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431d8a6b3c011d8bf2fcf30076
BSC190N15NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420 pF @ 75 V
auf Bestellung 24641 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.01 EUR
10+3.9 EUR
100+2.7 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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BSC190N15NS3GATMA1 INFNS16202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC190N15NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC190N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.019 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
auf Bestellung 2799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.18 EUR
57+4.13 EUR
250+2.83 EUR
1000+2.25 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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BSC190N15NS3GATMA1 info-tbsc190n15ns3g.pdf
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Hersteller: Infineon
N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G Infineon TBSC190n15ns3g
auf Bestellung 100 Stücke:
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