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BSC220N20NSFDATMA1

BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies

BSC220N20NSFD_Rev2.0_2018-03-14.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 137µA
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Technische Details BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0177ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies infineonbsc220n20nsfddsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 4804 Stücke:
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40+3.66 EUR
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BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies BSC220N20NSFD_Rev2.0_2018-03-14.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 137µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V
auf Bestellung 10686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.29 EUR
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BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC220N20NSFD_DS_v02_00_EN-1840491.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
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25+5.54 EUR
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250+4.22 EUR
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BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFDATMA1 INFINEON INFN-S-A0008943926-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm
auf Bestellung 2828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC220N20NSFDATMA1 BSC220N20NSFDATMA1 INFINEON INFN-S-A0008943926-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0177ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm
auf Bestellung 2828 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 200V 52A 8-Pin TSON EP T/R
auf Bestellung 4804 Stücke:
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AnzahlPreis
20+7.4 EUR
40+3.66 EUR
500+3.36 EUR
1000+3.25 EUR
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Description: MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 137µA
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 100 V
auf Bestellung 10686 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+8.29 EUR
10+5.54 EUR
100+3.98 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 13043 Stücke:
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AnzahlPreis
1+8.64 EUR
10+5.9 EUR
25+5.54 EUR
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BSC220N20NSFDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm
auf Bestellung 2828 Stücke:
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BSC220N20NSFDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC220N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.0177 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0177ohm
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0177ohm
auf Bestellung 2828 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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