Technische Details BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSC252N10NSFGATMA1 nach Preis ab 0.6 EUR bis 4.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 43µA Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 50 V |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC252N10NSFGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 10532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| BSC252N10NSFGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5000+ | 0.63 EUR |
| 10000+ | 0.6 EUR |
| BSC252N10NSFGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 583+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.85 EUR |
| BSC252N10NSFGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 43µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 43µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 50 V
auf Bestellung 260 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 4.05 EUR |
| 10+ | 2.59 EUR |
| 100+ | 1.76 EUR |
| BSC252N10NSFGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10532 Stücke:
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