Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC252N10NSFGATMA1
BSC252N10NSFGATMA1

BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies

bsc252n10nsfrev2.05.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.75 EUR
10000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 78W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm.

Weitere Produktangebote BSC252N10NSFGATMA1 nach Preis ab 0.71 EUR bis 4.24 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc252n10nsfrev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.75 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies bsc252n10nsfrev2.05.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
583+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 583 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 INFINEON INFNS16207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
auf Bestellung 10503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.77 EUR
105+2.21 EUR
158+1.36 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies BSC252N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b498909e97b17 Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 43µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 50 V
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC252N10NSFGATMA1 bsc252n10nsfrev2.05.pdf
BSC252N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.75 EUR
10000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC252N10NSFGATMA1 bsc252n10nsfrev2.05.pdf
BSC252N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
583+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 583 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC252N10NSFGATMA1 INFNS16207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC252N10NSFGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
auf Bestellung 10503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+3.77 EUR
105+2.21 EUR
158+1.36 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.95 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSF+Rev2.06.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b498909e97b17
BSC252N10NSFGATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 43µA
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 50 V
auf Bestellung 130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.24 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH