Technische Details BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 78W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm.
Weitere Produktangebote BSC252N10NSFGATMA1 nach Preis ab 0.74 EUR bis 3.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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BSC252N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5233 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC252N10NSFGATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 78W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm |
auf Bestellung 10503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSC252N10NSFGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
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| 5000+ | 0.75 EUR |
| 10000+ | 0.74 EUR |
| BSC252N10NSFGATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 583+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| BSC252N10NSFGATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 78W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0252 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0252ohm
auf Bestellung 10503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 67+ | 3.77 EUR |
| 105+ | 2.21 EUR |
| 158+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 5000+ | 0.89 EUR |