BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC252N10NSFGATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0195 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm.
Weitere Produktangebote BSC252N10NSFGATMA1 nach Preis ab 0.6 EUR bis 3.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BSC252N10NSFGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 43µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2 |
auf Bestellung 29994 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC252N10NSFGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.0195 ohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: PG-TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm |
auf Bestellung 15150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.2A 8-Pin TDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Power dissipation: 78W Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 25.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 43µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 50 V |
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BSC252N10NSFGATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Case: PG-TDSON-8 Power dissipation: 78W Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 40A On-state resistance: 25.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
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