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BSC320N20NS3GATMA1

BSC320N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC320N20NS3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012495e37b301571
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
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Technische Details BSC320N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.

Weitere Produktangebote BSC320N20NS3GATMA1 nach Preis ab 1.65 EUR bis 5.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC320N20NS3_G_DataSheet_v02_04_EN.pdf MOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 11374 Stücke:
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1+4.72 EUR
10+2.96 EUR
100+2.24 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.76 EUR
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
auf Bestellung 14571 Stücke:
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4+5.79 EUR
10+3.75 EUR
100+2.6 EUR
500+2.1 EUR
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BSC320N20NS3GATMA1 BSC320N20NS3GATMA1 INFINEON INFNS16209-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 55909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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1+4.72 EUR
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BSC320N20NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
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Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
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BSC320N20NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 55909 Stücke:
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