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BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Name: BSC340N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 24927050-5
Price: 1250 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R

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Technische Details BSC340N08NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.0275 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote BSC340N08NS3GATMA1 nach Preis ab 0.25 EUR bis 6.88 EUR

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BSC340N08NS3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R

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BSC340N08NS3GATMA1

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Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V

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BSC340N08NS3GATMA1

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BSC340N08NS3GATMA1

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DBADED761611C&compId=BSC340N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=aa9b337a0db21dfe8f5ac636b1ed5ff1110c9458

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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107+	0.67 EUR
115+	0.62 EUR
130+	0.55 EUR
214+	0.33 EUR
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115+	0.62 EUR
130+	0.55 EUR
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1000+	0.36 EUR
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209+	0.67 EUR
220+	0.61 EUR
500+	0.52 EUR
1000+	0.44 EUR
5000+	0.4 EUR
10000+	0.36 EUR

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195+	0.72 EUR
196+	0.69 EUR
250+	0.52 EUR
252+	0.49 EUR
500+	0.4 EUR
1000+	0.33 EUR

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Description: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V

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13+	1.43 EUR
18+	1.01 EUR
100+	0.74 EUR
500+	0.64 EUR
1000+	0.54 EUR

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Infineon_BSC340N08NS3G_DS_v02_06_en-1226153.pdf

MOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3

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10+	1.06 EUR
100+	0.8 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.56 EUR
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Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.0275 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.0275 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm

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BSC340N08NS3GATMA1

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R

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BSC340N08NS3GATMA1

Hersteller : Infineon

Транзистор польовий TDSON-8 N-MOSFET Vds=80V, Id=23A, Rds=0,034Ohm, Pd=32W

auf Bestellung 40 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
1+	6.88 EUR

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