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BSC350N20NSFDATMA1

BSC350N20NSFDATMA1 Infineon Technologies


Infineon-BSC350N20NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d6094ce00ea0 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 100 V
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Technische Details BSC350N20NSFDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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BSC350N20NSFDATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSC350N20NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259b0420a0159d6094ce00ea0 Description: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 100 V
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BSC350N20NSFDATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC350N20NSFD_DataSheet_v02_02_EN-3360697.pdf MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
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25+ 4.47 EUR
100+ 3.63 EUR
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BSC350N20NSFDATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 Hersteller : INFINEON 2312608.pdf Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BSC350N20NSFDATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 Hersteller : INFINEON 2312608.pdf Description: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSC350N20NSFDATMA1 BSC350N20NSFDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineon-bsc350n20nsfd-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
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