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BSC430N25NSFDATMA1

BSC430N25NSFDATMA1 INFINEON

Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 214W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
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Technische Details BSC430N25NSFDATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.043 ohm, TSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 214W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TSON, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS FD, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC430N25NSFDATMA1 BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447 Trans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
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BSC430N25NSFDATMA1 BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC430N25NSFD_DS_v02_01_EN-1840559.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
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BSC430N25NSFDATMA1 BSC430N25NSFDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC430N25NSFD-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c0168c7d453686447 Description: MOSFET N-CH 250V TSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 26 Stücke:
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2+10.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
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Trans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
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BSC430N25NSFDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V TSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Description: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.043 ohm, TSON, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
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