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BSC500N20NS3GATMA1

BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

infineonbsc500n20ns3gdatasheetv0201en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC500N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies infineonbsc500n20ns3gdatasheetv0201en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC500N20NS3+G+Rev2.0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30433cfb5caa013d11dd032123a3 Description: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
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BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSC500N20NS3_G_DataSheet_v02_01_EN-3360765.pdf MOSFETs N-Ch 200V 24A TDSON-8
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
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BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON INFNS27100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 173bsc500n20ns3grev2.0.pdffolderiddb3a304325305e6d012596c6ca7b290afi.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC710DFA5B011C&compId=BSC500N20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=13ebadf85dcedba5398a6b00a39e2385e1a48929 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
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BSC500N20NS3GATMA1 BSC500N20NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC710DFA5B011C&compId=BSC500N20NS3G-DTE.pdf?ci_sign=13ebadf85dcedba5398a6b00a39e2385e1a48929 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 96W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
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