BSC670N25NSFDATMA1 Infineon Technologies
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| 5000+ | 2.23 EUR |
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Technische Details BSC670N25NSFDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.059 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSC670N25NSFDATMA1 nach Preis ab 2.18 EUR bis 6.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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BSC670N25NSFDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC670N25NSFDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 125 V |
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BSC670N25NSFDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC670N25NSFDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC670N25NSFDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 125 V |
auf Bestellung 5262 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC670N25NSFDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS |
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BSC670N25NSFDATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.059 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC670N25NSFDATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSC670N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24 A, 0.059 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.059ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSC670N25NSFDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
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BSC670N25NSFDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 24A 8-Pin TDSON EP T/R |
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