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BSC886N03LSGATMA1

BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC886N03LS_G.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
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Technische Details BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 INFINEON BSC886N03LS_G.pdf Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
399+0.63 EUR
421+0.55 EUR
437+0.49 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 399 Stücke
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BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 INFINEON BSC886N03LS_G.pdf Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 399 Stücke
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BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 ROCHESTER ELECTRONICS BSC886N03LS_G.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC886N03LSGATMA1 - BSC886N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC886N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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BSC886N03LSGATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Hersteller: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC886N03LSGATMA1 - BSC886N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
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