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BSC886N03LSGATMA1

BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies

BSC886N03LS_G.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/65A TDSON
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Technische Details BSC886N03LSGATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: PG-TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 Hersteller : INFINEON BSC886N03LS_G.pdf Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 65A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4936 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 Hersteller : INFINEON BSC886N03LS_G.pdf Description: INFINEON - BSC886N03LSGATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 5000 µohm, PG-TDSON, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PG-TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS BSC886N03LS_G.pdf Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSC886N03LSGATMA1 - BSC886N03 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSC886N03LSGATMA1 BSC886N03LSGATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc886n03ls_rev1.0.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30431ce5fb52011d23d150c.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
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