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BSC900N20NS3GATMA1

BSC900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies


bsc900n20ns3rev2.1.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TDSON EP T/R
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Technische Details BSC900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TDSON-8, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 15.2A, On-state resistance: 90mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 62.5W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TDSON-8, Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
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BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies bsc900n20ns3rev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GATMA1 Hersteller : Infineon Technologies BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
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BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC900N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSC900N20NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 15.2A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 62.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
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