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BSC900N20NS3GATMA1

BSC900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+1.23 EUR
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Technische Details BSC900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GATMA1 INFINEON BSC900N20NS3+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a30432ad629a6012b144f6b0619db Description: INFINEON - BSC900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
117+1.84 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.75 EUR
100+1.87 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSC900N20NS3GATMA1 BSC900N20NS3GATMA1 INFINEON 1849725.pdf Description: INFINEON - BSC900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.02 EUR
77+3.03 EUR
110+1.96 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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BSC900N20NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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500+1.51 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC900N20NS3GATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.75 EUR
100+1.87 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.38 EUR
2000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSC900N20NS3GATMA1 1849725.pdf
BSC900N20NS3GATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSC900N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 15.2 A, 0.09 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+5.02 EUR
77+3.03 EUR
110+1.96 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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