BSC900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSC900N20NS3GATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TDSON-8, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 15.2A, On-state resistance: 90mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 62.5W, Polarisation: unipolar, Technology: OptiMOS™ 3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Case: PG-TDSON-8, Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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BSC900N20NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8 |
auf Bestellung 33030 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC900N20NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 15.2A 8-Pin TDSON EP T/R |
auf Bestellung 55000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSC900N20NS3GATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8 |
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSC900N20NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 15.2A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSC900N20NS3GATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 15.2A; 62.5W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 15.2A On-state resistance: 90mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 62.5W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TDSON-8 |
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