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BSD223PH6327XTSA1

BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies

7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 57000 Stücke:
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Technische Details BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS P, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
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960+0.18 EUR
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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589+0.3 EUR
592+0.29 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
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408+0.43 EUR
584+0.29 EUR
590+0.27 EUR
960+0.17 EUR
970+0.15 EUR
1123+0.13 EUR
1134+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.067 EUR
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.25W
Technology: OptiMOS™ P
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
193+0.44 EUR
271+0.31 EUR
477+0.18 EUR
582+0.14 EUR
667+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 80314 Stücke:
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1021+0.55 EUR
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSD223P_DS_v01_06_EN.pdf MOSFETs P-Ch DPAK-2
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6+0.6 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2941 Stücke:
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316+0.8 EUR
500+0.46 EUR
807+0.26 EUR
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
auf Bestellung 77482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.88 EUR
39+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON INFNS30434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 7686 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
511+0.45 EUR
646+0.33 EUR
1000+0.21 EUR
5000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
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BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
9000+0.083 EUR
15000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
960+0.18 EUR
1123+0.15 EUR
1134+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.077 EUR
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BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 22150 Stücke:
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589+0.3 EUR
592+0.29 EUR
1000+0.18 EUR
2000+0.15 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 589 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
408+0.43 EUR
584+0.29 EUR
590+0.27 EUR
960+0.17 EUR
970+0.15 EUR
1123+0.13 EUR
1134+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 408 Stücke
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BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.25W
Technology: OptiMOS™ P
auf Bestellung 1718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
193+0.44 EUR
271+0.31 EUR
477+0.18 EUR
582+0.14 EUR
667+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 193 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 7354bsd223p_rev1.5.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65fileidd.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 20V 0.39A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 80314 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1021+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1021 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD223PH6327XTSA1 Infineon_BSD223P_DS_v01_06_EN.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs P-Ch DPAK-2
auf Bestellung 34414 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.6 EUR
10+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
316+0.8 EUR
500+0.46 EUR
807+0.26 EUR
1120+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
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BSD223PH6327XTSA1 BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
auf Bestellung 77482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+0.88 EUR
39+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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BSD223PH6327XTSA1 INFNS30434-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD223PH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSD223PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 390 mA, 1.2 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
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