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BSD235CH6327XTSA1

BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
Produktcode: 118906
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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24000+0.12 EUR
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
21000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon TBSD235c_0001.pdf Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon TBSD235c_0001.pdf Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 35980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
380+0.46 EUR
381+0.45 EUR
520+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
9000+0.2 EUR
18000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 380 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+0.56 EUR
209+0.4 EUR
304+0.29 EUR
363+0.24 EUR
451+0.19 EUR
527+0.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 43199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
23+0.94 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326 Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
457+0.51 EUR
667+0.32 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0001300642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
457+0.51 EUR
667+0.32 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BSD235C_DS_v02_04_EN.pdf MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
auf Bestellung 218793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.32 EUR
10+0.92 EUR
100+0.58 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.26 EUR
3000+0.24 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
24000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
9000+0.13 EUR
24000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
9000+0.18 EUR
15000+0.17 EUR
21000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c_0001.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c_0001.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6 BSD235CH6327XTSA1 TBSD235c
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 635 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 1442014652676609dgdlfolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb3a30433580b37.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.95A/0.53A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 35980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
380+0.46 EUR
381+0.45 EUR
520+0.32 EUR
1000+0.25 EUR
9000+0.2 EUR
18000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 380 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
auf Bestellung 2598 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
152+0.56 EUR
209+0.4 EUR
304+0.29 EUR
363+0.24 EUR
451+0.19 EUR
527+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.95A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 43199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+0.94 EUR
37+0.57 EUR
100+0.36 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 BSD235C_rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30433580b371013585a2d0d53326
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 21699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
234+1.07 EUR
457+0.51 EUR
667+0.32 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235CH6327XTSA1 INFN-S-A0001300642-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSD235CH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 26064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
234+1.07 EUR
457+0.51 EUR
667+0.32 EUR
1000+0.23 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
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BSD235CH6327XTSA1 Infineon_BSD235C_DS_v02_04_EN.pdf
BSD235CH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
auf Bestellung 218793 Stücke:
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