
BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSD235NH6327XTSA1 nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.70 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.35Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.95A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.35Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.95A |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 51172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 2 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 23235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
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auf Bestellung 23235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 72000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSD235NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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