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BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies


1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
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Technische Details BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.12 EUR
6000+0.093 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4820 Stücke:
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1068+0.14 EUR
1104+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1068 Stücke
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD235NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
313+0.23 EUR
358+0.2 EUR
391+0.18 EUR
538+0.13 EUR
610+0.12 EUR
715+0.1 EUR
782+0.092 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Infineon TBSD235nh_INFINEON_0001.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652; BSD235NH6327XTSA1 TBSD235nh
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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200+0.24 EUR
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8679 Stücke:
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620+0.24 EUR
1030+0.14 EUR
1183+0.12 EUR
1227+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD235N_Rev2 5.pdf MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
auf Bestellung 97263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
27+0.67 EUR
43+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON INFNS30417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 INFINEON INFNS30417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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BSD235NH6327XTSA1 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.12 EUR
6000+0.093 EUR
9000+0.09 EUR
24000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD235NH6327XTSA1 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
1068+0.14 EUR
1104+0.13 EUR
2500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1068 Stücke
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPreis
3000+0.14 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1.pdf
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
313+0.23 EUR
358+0.2 EUR
391+0.18 EUR
538+0.13 EUR
610+0.12 EUR
715+0.1 EUR
782+0.092 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 313 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 TBSD235nh_INFINEON_0001.pdf
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652; BSD235NH6327XTSA1 TBSD235nh
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPreis
200+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 8679 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
620+0.24 EUR
1030+0.14 EUR
1183+0.12 EUR
1227+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 620 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235N_Rev2 5.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
auf Bestellung 97263 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5+0.67 EUR
10+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.17 EUR
6000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 12955 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
27+0.67 EUR
43+0.41 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 INFNS30417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 INFNS30417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH