Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSD235NH6327XTSA1
BSD235NH6327XTSA1

BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies


1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6260 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2445+0.06 EUR
2519+0.06 EUR
5000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2445
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSD235NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote BSD235NH6327XTSA1 nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.70 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
9000+0.10 EUR
24000+0.09 EUR
45000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1118+0.13 EUR
1162+0.12 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1118
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1012+0.15 EUR
1050+0.14 EUR
1060+0.13 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 1012
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 75000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
30000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSD235NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
305+0.23 EUR
371+0.19 EUR
463+0.15 EUR
589+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES BSD235NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.35Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.95A
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
305+0.23 EUR
371+0.19 EUR
463+0.15 EUR
589+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSD235N_Rev2_5-3360396.pdf MOSFETs N-Ch 20V 950mA SOT-363-6
auf Bestellung 337068 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+0.45 EUR
10+0.29 EUR
100+0.16 EUR
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
24000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 950mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.32nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 51172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+0.70 EUR
43+0.42 EUR
100+0.19 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 25
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS30417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 23235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON INFNS30417-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD235NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 950 mA, 950 mA, 0.266 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 950mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 950mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.266ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.266ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 23235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon BSD235N_Rev2.3.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431add1d95011afc70075c04e0 Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652; BSD235NH6327XTSA1 TBSD235nh
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
200+0.28 EUR
Mindestbestellmenge: 200
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD235NH6327XTSA1 BSD235NH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies 1155bsd235n_rev25.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileiddb.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH