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BSD316SNH6327XTSA1

BSD316SNH6327XTSA1 Infineon Technologies


Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 3000
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Technische Details BSD316SNH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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BSD316SNH6327XTSA1 BSD316SNH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521 Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 5735 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
38+0.48 EUR
57+0.31 EUR
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BSD316SNH6327XTSA1 BSD316SNH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSD316SN_DS_v02_04_en-3160712.pdf MOSFET SMALL SIGNAL N-CH
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10+0.56 EUR
100+0.35 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.15 EUR
9000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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BSD316SNH6327XTSA1 BSD316SNH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON 2580922.pdf Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 13240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSD316SNH6327XTSA1 BSD316SNH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON 2580922.pdf Description: INFINEON - BSD316SNH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.12 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 13240 Stücke:
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BSD316SNH6327XTSA1 BSD316SNH6327XTSA1 Hersteller : Infineon Technologies bsd316sn_rev2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSD316SNH6327XTSA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSD316SN-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011afc90c46a0521 BSD316SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
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