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BSD840NH6327XTSA1

BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies

4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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900000+0.11 EUR
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15000+0.088 EUR
21000+0.08 EUR
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon TBSD840n_INFINEON_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327; BSD840N TBSD840n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
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auf Bestellung 975 Stücke:
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663+0.26 EUR
667+0.25 EUR
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD840NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7933 Stücke:
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167+0.51 EUR
235+0.36 EUR
355+0.24 EUR
428+0.2 EUR
532+0.15 EUR
610+0.14 EUR
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3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840N_Rev2 4.pdf MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
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500+0.24 EUR
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+1.13 EUR
391+0.6 EUR
579+0.37 EUR
1000+0.25 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+1.13 EUR
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579+0.37 EUR
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BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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BSD840NH6327XTSA1
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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900000+0.11 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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15000+0.094 EUR
21000+0.086 EUR
30000+0.079 EUR
75000+0.075 EUR
150000+0.07 EUR
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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21000+0.08 EUR
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BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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AnzahlPrivatkunde
752+0.23 EUR
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1191+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
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BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327; BSD840N TBSD840n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 975 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
663+0.26 EUR
667+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 663 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 7933 Stücke:
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167+0.51 EUR
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BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
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3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23759 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
222+1.13 EUR
391+0.6 EUR
579+0.37 EUR
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5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23759 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
222+1.13 EUR
391+0.6 EUR
579+0.37 EUR
1000+0.25 EUR
5000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH