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BSD840NH6327XTSA1

BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies

4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 384000 Stücke:
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9000+0.1 EUR
15000+0.095 EUR
21000+0.087 EUR
30000+0.079 EUR
75000+0.076 EUR
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
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15000+0.089 EUR
21000+0.08 EUR
30000+0.07 EUR
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
30000+0.13 EUR
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
752+0.23 EUR
1007+0.17 EUR
1191+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 752 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon TBSD840n_INFINEON_0001.pdf Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327; BSD840N TBSD840n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
663+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 663 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD840NH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
167+0.51 EUR
235+0.36 EUR
355+0.24 EUR
428+0.2 EUR
532+0.15 EUR
610+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840N_Rev2 4.pdf MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
auf Bestellung 53654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.38 EUR
100+0.27 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02 Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
auf Bestellung 192093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
41+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 56535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.99 EUR
481+0.49 EUR
650+0.33 EUR
1017+0.21 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0000088794-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 56535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
252+0.99 EUR
481+0.49 EUR
650+0.33 EUR
1017+0.21 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 384000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.1 EUR
15000+0.095 EUR
21000+0.087 EUR
30000+0.079 EUR
75000+0.076 EUR
150000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 384000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.099 EUR
15000+0.089 EUR
21000+0.08 EUR
30000+0.07 EUR
75000+0.067 EUR
150000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
auf Bestellung 192000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
6000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
30000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
752+0.23 EUR
1007+0.17 EUR
1191+0.14 EUR
2000+0.13 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 752 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 TBSD840n_INFINEON_0001.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Substitute: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327; BSD840N TBSD840n
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
663+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 663 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 BSD840NH6327XTSA1.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 8808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
167+0.51 EUR
235+0.36 EUR
355+0.24 EUR
428+0.2 EUR
532+0.15 EUR
610+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSD840NH6327XTSA1 BSD840N_Rev2 4.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 20V 880mA SOT-363-6
auf Bestellung 53654 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.73 EUR
10+0.38 EUR
100+0.27 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 BSD840N_Rev2.3_.pdf?folderId=db3a3043156fd573011622e10b5c1f67&fileId=db3a30431b0626df011b12b4486c7c02
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-PO
Part Status: Active
auf Bestellung 192093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+0.83 EUR
41+0.52 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.21 EUR
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BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 56535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
252+0.99 EUR
481+0.49 EUR
650+0.33 EUR
1017+0.21 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 56535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
252+0.99 EUR
481+0.49 EUR
650+0.33 EUR
1017+0.21 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 252 Stücke
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BSD840NH6327XTSA1 4273bsd840n_rev2.2.pdffolderiddb3a3043156fd573011622e10b5c1f67fileidd.pdf
BSD840NH6327XTSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 0.88A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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