
BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies
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Technische Details BSD840NH6327XTSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSD840NH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 880 mA, 880 mA, 0.27 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 500mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 500mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote BSD840NH6327XTSA1 nach Preis ab 0.052 EUR bis 0.6 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSD840NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSD840NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
auf Bestellung 66000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSD840NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSD840NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.88A On-state resistance: 0.4Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3961 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSD840NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.88A On-state resistance: 0.4Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V |
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BSD840NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 880mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 78pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 880mA, 2.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.26nC @ 2.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1.6µA Supplier Device Package: PG-SOT363-PO Part Status: Active |
auf Bestellung 67766 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSD840NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSD840NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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BSD840NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 880mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 880mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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BSD840NH6327XTSA1 | Hersteller : INFINEON |
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auf Bestellung 74390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSD840NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSD840NH6327XTSA1 | Hersteller : Infineon |
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