BSDH06G65E2 Bourns Inc.
Hersteller: Bourns Inc.Description: DIODE SCHOT SIC 650V 6A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.52 EUR |
| 50+ | 2.84 EUR |
| 100+ | 2.33 EUR |
| 500+ | 1.98 EUR |
| 1000+ | 1.68 EUR |
| 2000+ | 1.59 EUR |
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Technische Details BSDH06G65E2 Bourns Inc.
Description: DIODE SCHOT SIC 650V 6A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 201pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote BSDH06G65E2 nach Preis ab 2.09 EUR bis 3.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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BSDH06G65E2 | Hersteller : Bourns |
SiC Schottky Diodes 650V 6A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 |
auf Bestellung 2856 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSDH06G65E2 | Hersteller : Bourns |
650V 6A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 |
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