BSDH08G65E2 Bourns
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 4.70 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
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| 500+ | 1.97 EUR |
| 1000+ | 1.92 EUR |
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Technische Details BSDH08G65E2 Bourns
Description: DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote BSDH08G65E2 nach Preis ab 1.84 EUR bis 4.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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BSDH08G65E2 | Hersteller : Bourns Inc. |
 Description: DIODE SCHOT SIC 650V 8A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V |
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| BSDH08G65E2 | Hersteller : Bourns |
650V 8A High Surge SiC schottky diode in TO220-2 |
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