BSDH10G65E2 Bourns Inc.
Hersteller: Bourns Inc.
Description: DIODE SIC 650V 10A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 323pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.68 EUR |
| 50+ | 4.51 EUR |
| 100+ | 3.87 EUR |
| 500+ | 3.44 EUR |
| 1000+ | 2.94 EUR |
| 2000+ | 2.77 EUR |
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Technische Details BSDH10G65E2 Bourns Inc.
Description: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote BSDH10G65E2 nach Preis ab 2.63 EUR bis 8.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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BSDH10G65E2 | Bourns |
SiC Schottky Diodes 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2 |
auf Bestellung 2868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSDH10G65E2 | BOURNS |
Description: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2909 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSDH10G65E2 |
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Hersteller: Bourns
SiC Schottky Diodes 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
SiC Schottky Diodes 650V 10A High Surge SiC diode in TO220-2
auf Bestellung 2868 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.27 EUR |
| 10+ | 2.84 EUR |
| BSDH10G65E2 |
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Hersteller: BOURNS
Description: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: BOURNS - BSDH10G65E2 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14.5 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.75 EUR |
| 73+ | 3.18 EUR |
| 100+ | 2.83 EUR |
| 500+ | 2.7 EUR |
| 1000+ | 2.63 EUR |