BSDV10G120E2 Bourns Inc.
Hersteller: Bourns Inc.
Description: DIOD SCHOT SIC 1200V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 11.29 EUR |
| 10+ | 9.47 EUR |
| 100+ | 7.66 EUR |
| 500+ | 6.81 EUR |
| 1000+ | 5.83 EUR |
| 2000+ | 5.5 EUR |
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Technische Details BSDV10G120E2 Bourns Inc.
Description: DIOD SCHOT SIC 1200V 10A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1.2 kV.
Weitere Produktangebote BSDV10G120E2 nach Preis ab 5.68 EUR bis 13.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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BSDV10G120E2 | Bourns |
SiC Schottky Diodes 1200V 10A High Surge SiC schottky diode in TO247-2 |
auf Bestellung 2619 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSDV10G120E2 |
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Hersteller: Bourns
SiC Schottky Diodes 1200V 10A High Surge SiC schottky diode in TO247-2
SiC Schottky Diodes 1200V 10A High Surge SiC schottky diode in TO247-2
auf Bestellung 2619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.2 EUR |
| 10+ | 6.89 EUR |
| 100+ | 6.33 EUR |
| 600+ | 5.68 EUR |