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BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSG0810NDI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf0150ec95de1142a9
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
auf Bestellung 5000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Technische Details BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSG0810NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0007 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 700µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 700µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Weitere Produktangebote BSG0810NDIATMA1 nach Preis ab 1.89 EUR bis 6.09 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSG0810NDIATMA1 BSG0810NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSG0810NDI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf0150ec95de1142a9 Description: INFINEON - BSG0810NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0007 ohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.68 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSG0810NDIATMA1 BSG0810NDIATMA1 INFINEON Infineon-BSG0810NDI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf0150ec95de1142a9 Description: INFINEON - BSG0810NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0007 ohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
58+4.03 EUR
100+2.68 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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BSG0810NDIATMA1 BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSG0810NDI_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
auf Bestellung 3879 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.99 EUR
10+3.89 EUR
100+2.68 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
2500+1.95 EUR
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BSG0810NDIATMA1 BSG0810NDIATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSG0810NDI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf0150ec95de1142a9 Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
auf Bestellung 7440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.09 EUR
10+3.97 EUR
100+2.77 EUR
500+2.38 EUR
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BSG0810NDIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0810NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.68 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0810NDIATMA1 Infineon-BSG0810NDI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf0150ec95de1142a9
BSG0810NDIATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0810NDIATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0007 ohm
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 700µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 700µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+5.97 EUR
58+4.03 EUR
100+2.68 EUR
500+2.51 EUR
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MOSFETs IFX FET 15V-30V
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10+3.89 EUR
100+2.68 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
2500+1.95 EUR
5000+1.89 EUR
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BSG0810NDIATMA1 Infineon-BSG0810NDI-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46250cc1fdf0150ec95de1142a9
BSG0810NDIATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
auf Bestellung 7440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.09 EUR
10+3.97 EUR
100+2.77 EUR
500+2.38 EUR
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