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BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies

Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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Technische Details BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.12 EUR
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auf Bestellung 302703 Stücke:
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307+2.13 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.86 EUR
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BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 1729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.14 EUR
100+2.07 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSG0811ND_DS_v02_02_EN-1226290.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 5567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.28 EUR
10+3.52 EUR
100+2.64 EUR
500+2.15 EUR
5000+2.12 EUR
10000+1.94 EUR
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BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.43 EUR
68+3.46 EUR
100+2.62 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
auf Bestellung 54266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.68 EUR
10+4.36 EUR
100+3.03 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BSG0811NDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BSG0811NDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 302703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
307+2.13 EUR
500+2.01 EUR
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Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 1729 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
80+2.14 EUR
100+2.07 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.99 EUR
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BSG0811NDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263
BSG0811NDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4362 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSG0811NDATMA1 Infineon_BSG0811ND_DS_v02_02_EN-1226290.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 5567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.28 EUR
10+3.52 EUR
100+2.64 EUR
500+2.15 EUR
5000+2.12 EUR
10000+1.94 EUR
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BSG0811NDATMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4362 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
47+5.43 EUR
68+3.46 EUR
100+2.62 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
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BSG0811NDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
auf Bestellung 54266 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.68 EUR
10+4.36 EUR
100+3.03 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf
BSG0811NDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf
BSG0811NDATMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH