BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 80+ | 1.74 EUR |
| 100+ | 1.66 EUR |
| 500+ | 1.59 EUR |
| 1000+ | 1.52 EUR |
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Technische Details BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSG0811NDATMA1 nach Preis ab 1.48 EUR bis 4.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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BSG0811NDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSG0811NDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
auf Bestellung 302703 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSG0811NDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSG0811NDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
auf Bestellung 2212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSG0811NDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 5567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSG0811NDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSG0811NDATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSG0811NDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSG0811NDATMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TISON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSG0811NDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSG0811NDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BSG0811NDATMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSG0811NDATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TISON-8 Part Status: Active |
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