Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > BSG0811NDATMA1
BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies


4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 1729 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
80+1.78 EUR
100+1.70 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 80
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote BSG0811NDATMA1 nach Preis ab 1.52 EUR bis 4.44 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.80 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 302703 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
307+1.81 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 307
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 5000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
auf Bestellung 2212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+3.96 EUR
10+2.79 EUR
100+2.05 EUR
500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_BSG0811ND_DS_v02_02_EN-1226290.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
auf Bestellung 5567 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.44 EUR
10+2.96 EUR
100+2.22 EUR
500+1.81 EUR
5000+1.78 EUR
10000+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003615083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003615083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 0.0024 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0024ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4577 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 BSG0811NDATMA1 Multi channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A, 41A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TISON-8
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH