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BSG0811NDATMA1

BSG0811NDATMA1 INFINEON

INFN-S-A0003615083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 682 Stücke:
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Technische Details BSG0811NDATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 50A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2400µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6.25W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TISON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSG0811ND_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs IFX FET 15V-30V
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BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSG0811ND-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624bcaebcf014c2d01f1490263 Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
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BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 INFINEON INFN-S-A0003615083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
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Bauform - Transistor: TISON
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 682 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.54 EUR
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500+2.83 EUR
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BSG0811NDATMA1 BSG0811NDATMA1 Infineon Technologies 4267789878377289infineon-bsg0811nd-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624bcaebcf014c2d01.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
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MOSFETs IFX FET 15V-30V
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Description: MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - BSG0811NDATMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 50 A, 50 A, 2400 µohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: TISON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2400µohm
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Trans MOSFET N-CH 25V 31A/50A 8-Pin TISON EP T/R
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