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Technische Details BSH103BKR Nexperia
Description: NEXPERIA - BSH103BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.23 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote BSH103BKR nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.60 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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BSH103BKR | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 7371 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79.3 pF @ 15 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 19552 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), 2.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79.3 pF @ 15 V |
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BSH103BKR | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 480mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 480mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 4590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : Nexperia |
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auf Bestellung 1565 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 330mW Drain-source voltage: 30V Drain current: 1A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.33W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 4A Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2877 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 330mW Drain-source voltage: 30V Drain current: 1A On-state resistance: 0.27Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.33W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 4A Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB |
auf Bestellung 2877 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH103BKR | Hersteller : NEXPERIA |
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BSH103BKR | Hersteller : Nexperia |
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