Produkte > NEXPERIA > BSH103BKR
BSH103BKR

BSH103BKR Nexperia


bsh103bk.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6120 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1530+0.11 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1530
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details BSH103BKR Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH103BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.23 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 480mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote BSH103BKR nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.60 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
BSH103BKR BSH103BKR Hersteller : Nexperia bsh103bk.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1530+0.11 EUR
3000+0.07 EUR
6000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1530
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103BKR BSH103BKR Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH103BK.pdf Description: BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79.3 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103BKR BSH103BKR Hersteller : Nexperia BSH103BK.pdf MOSFETs N-channel vertical D-MOS logic level FET
auf Bestellung 19552 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.59 EUR
10+0.37 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.10 EUR
9000+0.10 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103BKR BSH103BKR Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH103BK.pdf Description: BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79.3 pF @ 15 V
auf Bestellung 5862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+0.60 EUR
40+0.45 EUR
100+0.26 EUR
500+0.16 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103BKR BSH103BKR Hersteller : NEXPERIA 3191454.pdf Description: NEXPERIA - BSH103BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.23 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103BKR BSH103BKR Hersteller : NEXPERIA 3191454.pdf Description: NEXPERIA - BSH103BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1 A, 0.23 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 480mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.23ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103BKR BSH103BKR Hersteller : Nexperia bsh103bk.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103BKR Hersteller : NEXPERIA BSH103BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 330mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2877 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
248+0.29 EUR
300+0.24 EUR
477+0.15 EUR
575+0.12 EUR
848+0.08 EUR
893+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103BKR Hersteller : NEXPERIA BSH103BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 330mW
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.27Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 4A
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
auf Bestellung 2877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
179+0.40 EUR
248+0.29 EUR
300+0.24 EUR
477+0.15 EUR
575+0.12 EUR
848+0.08 EUR
893+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 179
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103BKR BSH103BKR Hersteller : NEXPERIA bsh103bk.pdf Small signal MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH103BKR BSH103BKR Hersteller : Nexperia bsh103bk.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH