BSH108,215
Produktcode: 143966
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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BSH108,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH108,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH108,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH108,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH108,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH108,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH108,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH108,215 | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs BSH108/SOT23/TO-236AB |
auf Bestellung 18123 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSH108,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V |
auf Bestellung 1865 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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BSH108,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH108,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH108,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 830mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 40943 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSH108,215 | Hersteller : NXP |
SOT23/N Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSH108,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 830mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V |
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