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BSH108,215

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Verschiedene Bauteile > Other components 3

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSH108,215 BSH108,215 Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH108,215 BSH108,215 Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH108,215 BSH108,215 Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH108,215 BSH108,215 Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH108,215 BSH108,215 NEXPERIA 454161.pdf Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30000 Stücke:
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BSH108,215 BSH108,215 Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH108,215 BSH108,215 Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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278+0.63 EUR
360+0.46 EUR
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BSH108,215 BSH108,215 Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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341+0.49 EUR
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646+0.23 EUR
658+0.21 EUR
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BSH108,215 BSH108,215 Nexperia BSH108.pdf MOSFETs BSH108/SOT23/TO-236AB
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BSH108,215 BSH108,215 Nexperia USA Inc. BSH108.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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25+0.86 EUR
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BSH108,215 BSH108,215 NEXPERIA BSH108.pdf Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 40943 Stücke:
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205+1.23 EUR
365+0.63 EUR
642+0.33 EUR
715+0.3 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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BSH108,215 BSH108,215 Nexperia 170073982740521bsh108.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 188 Stücke:
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BSH108,215 170073982740521bsh108.pdf
BSH108,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSH108,215 170073982740521bsh108.pdf
BSH108,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
9000+0.15 EUR
24000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSH108,215 170073982740521bsh108.pdf
BSH108,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
9000+0.12 EUR
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BSH108,215 170073982740521bsh108.pdf
BSH108,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.18 EUR
9000+0.13 EUR
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BSH108,215 454161.pdf
BSH108,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 30000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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BSH108,215 170073982740521bsh108.pdf
BSH108,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8189 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
344+0.51 EUR
639+0.27 EUR
646+0.26 EUR
658+0.25 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 344 Stücke
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BSH108,215 170073982740521bsh108.pdf
BSH108,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
278+0.63 EUR
360+0.46 EUR
692+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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BSH108,215 170073982740521bsh108.pdf
BSH108,215
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8189 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
259+0.67 EUR
341+0.49 EUR
344+0.46 EUR
639+0.24 EUR
646+0.23 EUR
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BSH108,215 BSH108.pdf
BSH108,215
Hersteller: Nexperia
MOSFETs BSH108/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 18123 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.56 EUR
100+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
3000+0.15 EUR
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BSH108,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
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BSH108,215 BSH108.pdf
BSH108,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH108,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.9 A, 0.12 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 40943 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
205+1.23 EUR
365+0.63 EUR
642+0.33 EUR
715+0.3 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
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BSH108,215 170073982740521bsh108.pdf
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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