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BSH111BKR

BSH111BKR Nexperia

4375738560421212bsh111bk.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
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Technische Details BSH111BKR Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 302mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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BSH111BKR BSH111BKR Hersteller : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH111BKR BSH111BKR Hersteller : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR BSH111BKR Hersteller : NEXPERIA BSH111BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 364mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
334+0.21 EUR
414+0.17 EUR
646+0.11 EUR
811+0.09 EUR
1484+0.05 EUR
1568+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
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BSH111BKR BSH111BKR Hersteller : NEXPERIA BSH111BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 364mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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BSH111BKR BSH111BKR Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
auf Bestellung 2653 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
67+0.26 EUR
82+0.21 EUR
190+0.09 EUR
500+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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BSH111BKR BSH111BKR Hersteller : Nexperia BSH111BK.pdf MOSFETs P-channel vertical D-MOS logic level FET
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Anzahl Preis
11+0.27 EUR
13+0.23 EUR
100+0.10 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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BSH111BKR BSH111BKR Hersteller : Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH111BKR BSH111BKR Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003101061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 302mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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BSH111BKR BSH111BKR Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003101061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 2.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 302mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
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BSH111BKR BSH111BKR Hersteller : Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
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