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BSH111BKR

BSH111BKR Nexperia

4375738560421212bsh111bk.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.061 EUR
6000+0.048 EUR
9000+0.046 EUR
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Technische Details BSH111BKR Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 302mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.061 EUR
6000+0.046 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.074 EUR
18000+0.065 EUR
27000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 17610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.088 EUR
9000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR BSH111BKR NEXPERIA BSH111BK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Power dissipation: 364mW
Gate charge: 0.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
511+0.17 EUR
715+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia BSH111BK.pdf MOSFETs SOT23 N-CH 55V .21A
auf Bestellung 107899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.39 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.082 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
auf Bestellung 17610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
79+0.27 EUR
110+0.19 EUR
127+0.17 EUR
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR BSH111BKR NEXPERIA NEXP-S-A0003101061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 302mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 8746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
360+0.69 EUR
589+0.39 EUR
944+0.23 EUR
1304+0.17 EUR
1500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia 4375738560421212bsh111bk.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR 4375738560421212bsh111bk.pdf
BSH111BKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.061 EUR
6000+0.046 EUR
9000+0.044 EUR
15000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR 4375738560421212bsh111bk.pdf
BSH111BKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.074 EUR
18000+0.065 EUR
27000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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BSH111BKR BSH111BK.pdf
BSH111BKR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 17610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.088 EUR
9000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR BSH111BK.pdf
BSH111BKR
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Power dissipation: 364mW
Gate charge: 0.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
511+0.17 EUR
715+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSH111BKR
Hersteller: Nexperia
MOSFETs SOT23 N-CH 55V .21A
auf Bestellung 107899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.39 EUR
14+0.25 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.082 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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BSH111BKR
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
auf Bestellung 17610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+0.44 EUR
79+0.27 EUR
110+0.19 EUR
127+0.17 EUR
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR NEXP-S-A0003101061-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSH111BKR
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH111BKR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 210 mA, 4 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 302mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
auf Bestellung 8746 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
360+0.69 EUR
589+0.39 EUR
944+0.23 EUR
1304+0.17 EUR
1500+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 360 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSH111BKR 4375738560421212bsh111bk.pdf
BSH111BKR
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 55V 0.21A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH