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Technische Details BSH202,215 Nexperia
Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 520mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote BSH202,215 nach Preis ab 0.09 EUR bis 0.62 EUR
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BSH202,215 | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH202,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH202,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8416 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BSH202,215 | Hersteller : Nexperia |
MOSFET BSH202/SOT23/TO-236AB |
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BSH202,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSH202,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSH202,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 417mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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BSH202,215 | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSH202,215 | Hersteller : NEXPERIA |
BSH202.215 SMD P channel transistors |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BSH202,215 | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R |
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BSH202,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 24 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BSH202,215 | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 520MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 280mA, 10V Power Dissipation (Max): 417mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 1mA Supplier Device Package: TO-236AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 24 V |
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