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BSH202,215

BSH202,215 Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Technische Details BSH202,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 520mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 417mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
BSH202,215 BSH202,215 Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH202,215 BSH202,215 NEXPERIA 454166.pdf Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSH202,215 BSH202,215 Nexperia 66241790205926bsh202.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 0.52A 3-Pin SOT-23 T/R
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BSH202,215 BSH202,215 Nexperia BSH202-2937684.pdf MOSFET BSH202/SOT23/TO-236AB
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BSH202,215 BSH202,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002882646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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BSH202,215 BSH202,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002882646-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Description: NEXPERIA - BSH202,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 0.63 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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